第三代半導體需求釋放 碳化矽趁勢崛起

來源:環球網

半導體行業從誕生至今,經過近六十年的發展先後經歷了三次明顯的換代和發展。其中,第三代半導體材料主要分為碳化矽SiC和氮化鎵GaN,相比於第一、二代半導體,其具有更高的禁頻寬度、高擊穿電壓、電導率和熱導率。

近年來,隨著5G通訊、新能源汽車、光伏等行業的快速發展,我國半導體行業的發展迎來關鍵節點和重大機遇,第三代半導體需求面臨劇增的局面。

國內廠商技術優勢凸顯 優質賽道競爭格局清晰

目前,從第三代半導體材料呈現的競爭格局來看,整體輪廓展現出日益清晰的局面。在國外,以美國的Cree和II-VI公司為主,在國內,有山東天嶽,天科合達、河北同光等。

碳化矽襯底材料分半絕緣型和導電型。半絕緣型碳化矽電阻率高,工藝視窗窄,主要應用於雷達和5G通訊領域的射頻器件。導電型碳化矽電阻率低,主要應用於電力電子的功率器件。

山東天嶽自成立以來一直在半導體領域裡潛心探索。公開資料顯示,山東天嶽成立於2010年,主要從事碳化矽襯底的研發、生產和銷售。目前,公司主要產品覆蓋半絕緣型(4英寸為主)和導電型(6英寸為主)碳化矽襯底,已供應至國內碳化矽半導體行業的下游核心客戶,同時已被部分國外頂尖的半導體公司使用。

下游應用領域場景廣闊 未來行業發展空間巨大

碳化矽由於自身特性,下游應用領域場景和領域十分廣泛,這無疑會為身處其中的企業帶來增長的機會,並拓展行業發展的寬度和廣度。

碳化矽可廣泛應用於新能源汽車、5G 通訊、光伏發電、軌道交通、智慧電網、航空航天等現代工業領域。在新能源汽車領域,碳化矽功率器件主要應用在電機驅動系統、車載充電、電源轉換系統等多個關鍵系統中,比如特斯拉的Model 3車型上使用了24個碳化矽MOSFET功率模組的逆變器。隨著5G、新能源汽車、光伏發電、航空航天等戰略新興產業迅速發展,以及巨大的潛在市場需求增長、火熱的投資環境以及政策驅動,我國SIC產業發展明顯進一步迎來戰略機遇期。

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